产品中心

缺陷能谱测试仪(DLTS)

概述:缺陷能谱测试仪利用深能级陷阱对载流子的俘获和激发特性所表现出的电学特性测量半导体材料、器件、外延的界面态、杂质浓度、缺陷能级位等表征参数。设备通过对样品施加多种激励,对样品的电容进行高速数字化,实时分析其时频特性,并采用先进的AI技术对缺陷数据进行分类、识别、统计,为试验和生产提供有效指导数据。
联系我们 资料下载
  • 产品简介
  • 技术参数
  • 产品规格
  • 辐射效应测试系统 | 产品模块

    深能级瞬态   智能谱分析

    高度集成
    超高电容灵敏度
    测量范围 1pF~100nF,灵敏度达 0.1fF,精准捕捉微弱缺陷信号,满足纳米级器件表征
    高度集成
    宽温区稳定控制
    20K~500K 连续可调,液氮闭环制冷,温度稳定度 ±0.01K,提供极端环境缺陷分析
    高度集成
    AI智能缺陷分析
    内置AI建模,自动分类、识别及统计缺陷数据,输出有效指导,加速工艺优化
    高度集成
    多模式激励扫描
    复合激励、电子束扫描 (束斑0.5~100mm) 及脉冲宽度 100ns~20s,全面激发陷阱能级

    主要功能

    极性识别
    CV扫描
    瞬态电容测试
    C-DLTS
    支持AI建模
    时频分析
    支持复合激励
    电子束扫描
    温度扫描
    指数拟合

    规格参数

    型号:QTCS241KA-TE

    核心电气 · 电源轨

    系统电压范围
    ±24 V
    偏置电源 · 电压步进
    0.1 V
    脉冲电源 · 电压步进
    10 mV
    脉冲电压纹波
    0.3 mVrms
    脉冲宽度范围
    100 ns ~ 20 s
    🧪

    电容测量 · 飞法分辨率

    测量范围
    1 pF ~ 100 nF
    电容灵敏度
    0.1 fF
    采样精度
    16 bits
    有效采样率
    1 MSPS
    测试频率 (采集器)
    1 MHz
    测试电平
    20 mV
    📡

    采集器 · 信号链

    采样范围
    ±1 V / ±5 V (可编程)
    采样模式
    静态 / 触发
    有效采样率
    1 MSPS
    电压纹波抑制
    0.3 mVrms (脉冲级)
    ❄️

    恒温器 · 低温平台

    温度范围
    20 K ~ 500 K
    温度稳定度
    ±0.01 K
    制冷方式
    液氮闭环 (高效率循环)
    🎯

    电子束 · 纳米加工分析

    束流能量
    1 keV ~ 50 keV
    束斑尺寸
    0.5 mm ~ 100 mm
    光束电流
    10 nA ~ 10 mA
    ⚙️

    精密调制 · 动态参数

    偏置电压步进
    0.1 V (高线性)
    脉冲电源分辨率
    10 mV 步进 / 0.3 mVrms 纹波
    脉冲时间范围
    100 ns → 20 s
    电容分辨率
    0.1 fF (超高灵敏度)
    采样精度 / 位数

    16 bits 有效


应用领域

联系我们

第一时间了解我们的新产品发布和最新的资讯文章。
陕西夸克自控科技有限公司成立于2007年7月,是一家半导体可靠性测试解决方案提供商,公司依靠丰富的测试系统工程经验、半导体测试技术、高压及微弱信号检测技术、真空及辐射效应测试技术、高...

您有什么问题或要求吗?

点击下面,我们很乐意提供帮助。 联系我们
Copyright © 2012-2025 陕西夸克自控科技有限公司 版权所有     陕公网安备61011302002187号    陕ICP备2022007467号-1