概述:瞬态信号分析仪利用自主研发的高动态电流传感器在高电压偏置条件下实现高达180dB瞬态电流捕获；采用多层高压隔离和屏蔽技术实现远距离微弱电流信号在线测量；简单的接口以及一体化便携设计便于测试系统的快速搭建和样品更换，适合各类Si、SiC、GaN、Ga2O3类晶体管、二极管、MOSFET、SBD、IGBT、HEMT等器件的辐射效应试验、漏电流测试、半导体参数测试

概述:FPGA故障注入系统通过对重点关注的功能电路对应的位流进行修改并注入FPGA系统中，以此模拟辐射效应引起的单位或多位翻转，结合测试系统输出的功能性能判定结果，对FPGA系统的软件加固性能进行快速评估和验证，应用于航天系统地面验证、故障复现、加固算法评估等场合。

概述:FPGA器件辐射效应测试系统能够适应不同的类型的FPGA器件的辐射效应试验，通过在线测试向量切换能力，动态适配各种场景下FPGA器件的单粒子翻转效应、单粒子闩锁效应、单粒子功能中断效应等测试和评估，能够通过总线速率适配调节满足高速、长线、真空等各种恶劣条件下的测试应用。

概述:SRAM器件辐射效应测试套件包含可定制的夹具板、驱动与测试向量、可配置的软件插件，基于QDRP平台实现对通用异步SRAM器件的功能验证、性能测试、单粒子翻转测试、单粒子闩锁测试等，支持自动重写和自定义忽略地址功能，能够快速定制各种封装的夹具板以满足辐射效应测试的要求。

概述:数字电路辐射效应测试平台 (QDRP)主要用于辐射条件下AD、FPGA、存储器及其它数字器件的单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子闩锁检测。平台内部集成了多种仪表功能，可直接安装在辐照测试架或测试台上，配合夹具或延长线使用。

概述:缺陷能谱测试仪利用深能级陷阱对载流子的俘获和激发特性所表现出的电学特性测量半导体材料、器件、外延的界面态、杂质浓度、缺陷能级位等表征参数。设备通过对样品施加多种激励，对样品的电容进行高速数字化，实时分析其时频特性，并采用先进的AI技术对缺陷数据进行分类、识别、统计，为试验和生产提供有效指导数据。

概述:QST2300 是一款支持高压全范围半导体器件参数精密测试仪器，可进行高压电流电压测试(IV)、高压电容电压测试(CV)、大功率大电流脉冲测试(Pulsed IV)等。它能够对宽禁带半导体材料和器件(SiC、GaN、Ga2O3等)参数进行快速高精度测试和性能表征。

概述:QDT2050A功率器件动态参数测试机采用智能测试软件协同管理高分辨率示波器、电源、信号源、LCR、栅极电阻、负载等完成对最高2KV/500A的功率器件动态参数的一键全自动测试，数据自动判别，生成测试数据和报告，配合探针台、分选机实现晶圆、产线快速测试和验证。采用内置传感器、开关阵列等实现测试项、栅极电阻、感性/阻性负载自动调整，简化系统连线，优化环路电感，使测试更简便稳定、安全可靠，适用于第三代半导体功率器件MOSFET、IGBT、IPM等动态参数特性的测试、器件分选，为芯片设计、分选、入厂检测、驱动设计、失效分析等环节提供数据支撑，帮助用户快速应对各种市场应用需求

概述:QST2320高压型SMU，提供四象限精密电压和电流源/负载，使用简单易用的触摸屏用户界面进行测 量。最高3000V的测量及输出电压，满足用户高压下高精度测量的需求。高达0.1fA的测量分辨率及 100fA的准确度。可用于测试高电阻、低泄漏器件、材料和模块，如碳化硅 (SiC)、氮化镓(GaN)、功 率 MOSFET、瞬态抑制器件、电路保护器件、功率模块和电池等。